Оценочная платформа однофазного инвертора GaN 3,0 кВт

Оценочный комплект инвертора TDINV3000W050 3,0 кВт от Transphorm предоставляет простой способ оценить преимущества производительности полевых транзисторов GaN в различных применениях инверторов, таких как солнечные и источники бесперебойного питания. Комплект обеспечивает основные характеристики однофазного инвертора в проверенной, функциональной конфигурации, работающей на частоте 50 кГц или выше.

В основе инвертора находятся четыре полевых транзистора GaN TP65H050WS с сопротивлением канала 50 мОм, выполненные в виде полного моста. Они тесно интегрированы со схемами управления затворами на плате, которая также включает гибкие опции микроконтроллера и удобное соединение с компьютером. Выходной ток и напряжение в режиме ШИМ фильтруются для обеспечения чистого синусоидального выхода. Комплект TDINV3000W050-KIT предназначен только для ознакомительных целей.

Управляющая часть схемы разработана вокруг микроконтроллеров семейства C2000 ™ от Texas Instruments (TI). Исходный код доступен вместе со связанной информацией поддержки непосредственно от TI.

В дополнение к этому общему ресурсу Transphorm предоставляет оригинальную прошивку, которая загружается во флэш-память на микроконтроллере. Исходный код, настроенный как законченный проект, доступен как часть оценочной платформы. Этот проект является удобной отправной точкой для дальнейших разработок.

Сам микроконтроллер находится на небольшой съемной плате управления, поставляемой компанией TI, так что при желании можно использовать разные устройства C2000. Схема для печатной платы TDINV3000W050 приведена в конце руководства пользователя, а также в файлах проекта.

TDINV3000W050-KIT включает в себя:

• TDINV3000W050 однофазный инвертор в сборе
• Контрольная карта Texas Instruments F28035
• Блок питания 12 В с адаптером США

Технические характеристики ввода / вывода TDINV3000W050

• Высоковольтный вход: 420 В пост. Макс.
• Вспомогательное питание (J1): 12VCC
• Вход: 0 В постоянного тока - 420 В постоянного тока
• Выход: Vdc / √2VRMS при 50/60 Гц, до 3000 Вт
  • Выходная частота может быть изменена в программном обеспечении; как поставлено это 60Hz
• Частота ШИМ: 50 кГц - 200 кГц
  • Частота переключения может быть изменена в программном обеспечении; как поставлено это 50 кГц
• Рассеиваемая мощность в GaN FET ограничена максимальной температурой перехода.